IPB45N06S4L-08 دیتاشیت

IPB45N06S4L-08

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت IPB45N06S4L-08
حجم فایل 69.777 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 9

مشاهده دیتاشیت IPB45N06S4L-08

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: N Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: Infineon Technologies IPB45N06S4L-08
  • Power Dissipation (Pd): 71W
  • Drain Source Voltage (Vdss): 60V
  • Continuous Drain Current (Id): 45A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 2.2V@35uA
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 14mΩ@4.5V,22.5A
  • Package: TO-263-3
  • Manufacturer: Infineon Technologies

محصولات مشابه